激光技术作为现代科技的核心支柱之一,在工业制造、医疗健康、信息通信、国防安全等领域发挥着日益关键的作用。中国科学院半导体研究所(以下简称“中科院半导所”)作为我国半导体科技研究的国家队,在高功率密度光子晶体激光器领域取得了一系列突破性进展,为激光应用技术的未来发展注入了强劲动力。
光子晶体是一种具有周期性介电结构的人工微纳材料,能够对光子的传播进行精确调控,被誉为“光学半导体”。中科院半导所的研究团队,通过创新性的材料设计与精密制备工艺,成功研制出高功率密度、高光束质量、高效率的光子晶体激光器。这类激光器的核心优势在于其独特的能带结构——光子带隙,它能够有效抑制自发辐射,将能量高度集中在特定的激光模式中,从而实现极高的功率密度输出。与传统的边发射或面发射激光器相比,光子晶体激光器在单模稳定性、发散角控制和波长调谐灵活性方面表现出显著优势。
在技术实现路径上,中科院半导所采用了先进的半导体外延生长技术(如MOCVD、MBE),在砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等衬底上制备出高质量的多量子阱有源区与光子晶体结构。通过优化光子晶体的晶格常数、孔洞形状及排列方式,研究团队精确调控了激光的光子局域态密度,不仅提升了电光转换效率,还显著降低了阈值电流,增强了器件在高温等苛刻环境下的工作稳定性。实验结果表明,其所研制的光子晶体激光器可实现千瓦级峰值功率输出,光束质量因子M²接近衍射极限,为高精度加工、远距离传感等应用奠定了坚实基础。
高功率密度光子晶体激光器的成功研制,正强力推动着多领域激光应用技术的升级与革新:
中科院半导所的研究团队将继续致力于光子晶体激光器在更高功率、更宽波长覆盖(特别是中红外波段)、更高可靠性以及更低成本方面的探索。推动其与硅基光子学、柔性电子等前沿方向的融合,开发出集成度更高、功能更丰富的片上激光系统。
总而言之,中科院半导所在高功率密度光子晶体激光器领域取得的成就,不仅代表了我国在高端激光光源领域的自主创新能力,更如同一把钥匙,开启了激光技术迈向更高性能、更广泛应用场景的大门,将持续为国民经济主战场和国家重大战略需求提供关键的技术支撑与解决方案。
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更新时间:2026-01-13 21:03:11